ワールドビジネスサテライトで紹介
電力を制御するスイッチの役割を持つパワー半導体
開発したのは、早稲田大学 基幹理工学部 川原田洋 教授
3ミリ四方の基盤上に144個のパワー半導体が並ぶ
そのパワー半導体1個が絶える電圧は、1600ボルト
現在 主流のシリコンを使った半導体と比べると50倍以上の性能
高い電圧と電流が流れると熱が発生する
熱を逃がす性能が高い人工ダイヤモンドを使用している
これが実用化できれば、電力を効率よく使え、
省エネ性能を格段に高める事が出来ると期待されている
川原田氏いわく「ハイブリットカーや電気自動車など500ボルトの高電圧でモーターを回す駆動系、動力系に使いたい」
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