Tag Archives: パワー半導体

ワールドビジネスサテライトで紹介

 

電力を制御するスイッチの役割を持つパワー半導体

開発したのは、早稲田大学 基幹理工学部 川原田洋 教授

 

3ミリ四方の基盤上に144個のパワー半導体が並ぶ

そのパワー半導体1個が絶える電圧は、1600ボルト

現在 主流のシリコンを使った半導体と比べると50倍以上の性能

 

高い電圧と電流が流れると熱が発生する

熱を逃がす性能が高い人工ダイヤモンドを使用している

 

これが実用化できれば、電力を効率よく使え、

省エネ性能を格段に高める事が出来ると期待されている

 

川原田氏いわく「ハイブリットカーや電気自動車など500ボルトの高電圧でモーターを回す駆動系、動力系に使いたい」 (177)

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